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TrendForce集邦諮詢:第二季DRAM合約價漲幅上修至13~18% NAND Flash約15~20%

發布 2024-5-7 下午01:57
© Reuters.  TrendForce集邦諮詢:第二季DRAM合約價漲幅上修至13~18% NAND Flash約15~20%
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智通財經APP獲悉,據TrendForce集邦諮詢最新預估,第二季DRAM合約價季漲幅將上修至13~18%;NAND Flash合約價季漲幅同步上修至約15~20%,全線產品僅eMMC/UFS價格漲幅較小,約10%。至4月下旬,相關業者陸續完成新一輪合約價議價後,漲幅較原先預期擴大, 推動TrendForce集邦諮詢同步上修第二季DRAM、NAND Flash合約價漲幅,除了反映買方欲支撐在手庫存的價值,關鍵更包含供需兩端對AI市場展望的考量。

403地震發生前,TrendForce集邦諮詢原先預估,第二季DRAM合約價季漲幅約3~8%;NAND Flash爲13~18%,相較第一季漲幅明顯收斂,當時從合約價先行指標的現貨價格就可看出,現貨價已出現連續走弱,上漲動能低落、交易量降低等情況。究其原因,主要是除了AI以外的終端需求不振,尤其筆電、智能手機的需求尚未有復甦跡象,買方在手庫存逐漸增高,又以PC OEM爲最。同時,DRAM及NAND Flash至今已分別續漲2~3個季度,買方再接受大幅漲價的意願消退。

403震後,市場零星傳出有PC OEM供應商出於特殊考量,接受高昂的DRAM及NAND Flash合約價漲幅,但僅是零星成交情況。至4月下旬,相關業者陸續完成新一輪合約價議價後,漲幅較原先預期擴大, 推動TrendForce集邦諮詢同步上修第二季DRAM、NAND Flash合約價漲幅,除了反映買方欲支撐在手庫存的價值,關鍵更包含供需兩端對AI市場展望的考量。

TrendForce集邦諮詢表示,由於原廠擔憂後續出現HBM產能排擠效應,以三星(Samsung)來看,HBM3e產品採用1alpha製程節點,至2024年底將佔用1alpha製程產能約六成,進一步排擠DDR5供給量,尤其以第三季HBM3e生產即將放量的時間點影響最大,經評估後買方轉而願意第二季提前備貨,應對第三季起可能出現HBM供應短缺。

同時,隨着節能成爲AI推理服務器(AI Inference Server)優先考量,北美雲端服務業者(CSP)擴大采用QLC Enterprise SSD作爲存儲的解決方案,帶動QLC Enterprise SSD需求,並加速部分供應商的庫存去化,推動部分供應商出現惜售心態。值得注意的是,受限於消費性產品需求復甦情況不明朗,故原廠普遍對於非HBM晶圓產能的資本支出趨於保守,尤其是價格仍處於損益平衡點的NAND Flash。

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