智通財經APP獲悉，總部位於荷蘭的光刻機巨頭阿斯麥(ASML.US)最大規模客戶之一臺積電(TSM.US)近日罕見表態稱，阿斯麥最新型的先進芯片製造光刻機器的價格令人望而卻步。臺積電高級副總裁Kevin Zhang週二在阿姆斯特丹的一個技術研討會上表示:“這臺EUV光刻機成本非常高。”他指的是阿斯麥最新推出的“high-NA”級別極紫外(EUV)光刻機。我喜歡high-NA EUV的性能，但我確實不喜歡它的標價。”
據瞭解，阿斯麥推出的這一款最新EUV光刻機可以用僅僅8納米厚的線條來壓印半導體，比上一代EUV機器小足足1.7倍。然而，這一堪稱“人類科技巔峯”的芯片製造機器每臺耗資高達3.5億歐元(大約3.8億美元)，重量則相當於兩架空客A320。
來自荷蘭的阿斯麥是全球最大規模光刻系統製造商，阿斯麥所生產的光刻設備在製造芯片的過程中可謂起着最重要作用。阿斯麥是臺積電、三星以及英特爾用於製造高端製程芯片的最先進極紫外(EUV)光刻機的唯一供應商。
如果說芯片是現代人類工業的“掌上明珠”，那麼光刻機就是將這顆“明珠”生產出來所必須具備的工具，更重要的是，阿斯麥是全球芯片廠製造最先進製程的芯片，比如3nm、5nm以及7nm芯片所需EUV光刻設備的全球唯一一家供應商。因此，臺積電、英特爾以及三星等最大規模客戶對其產品的需求，可謂是芯片行業健康狀況的風向標。
爲實現2nm及以下製程，英特爾已經耗巨資購阿斯麥新款EUV
據瞭解，同樣是阿斯麥最大客戶之一的美國老牌芯片製造商英特爾(INTC.US)已經耗巨資購買阿斯麥最新的high-NA EUV光刻機，並於2023年12月底將阿斯麥的第一臺該新型機器運往英特爾位於俄勒岡州的一家工廠。但目前尚不清楚臺積電以及三星這兩大客戶何時開始購買這些設備。
這種被稱爲high-NA 極紫外(EUV)光刻機的最先進芯片製造系統核心部件已被運往英特爾位於俄勒岡州的D1X芯片工廠，意味着英特爾全面轉向芯片代工領域的雄心壯志迎來最先進的光刻技術助力。
英特爾耗巨資購買這一設備的核心目的在於，力爭早日實現2nm及以下最先進芯片製程路線——即英特爾所規劃的 18A、14A 和 10A 這些最先進芯片製程技術路線。“18A”等芯片製造類別，既指英特爾規劃的1.8nm級別芯片，也指英特爾所規劃的3D chiplet先進封裝工藝路線圖。
對於英特爾正在研發的2nm及以下節點技術而言，阿斯麥high-NA EUV光刻機可謂非常重要。相比於阿斯麥當前生產的標準款EUV光刻機，主要區別在於使用了更大的數值孔徑，high-NA EUV技術採用0.55 NA鏡頭，能夠實現8nm級別的分辨率，而標準的EUV技術使用0.33 NA的鏡頭。因此，這種新NA技術能夠在晶片上打印更小的特徵尺寸，對於2nm及以下芯片的製程技術研發至關重要。
不斷上升的成本和技術複雜性使得最先進的3nm以下的芯片製造進程變得更加愈發困難。英特爾如今面臨着特殊的挑戰，因爲它試圖在美國政府高額補貼的支持下，重新獲得曾經不可動搖的芯片製造技術優勢。因此，英特爾在芯片領域的雄心壯志主要在於依靠旗下的芯片代工業務部門開啓該公司全新的業績擴張之路。
英特爾CEO蓋爾辛格前不久表示，公司業務轉型正在順暢進行，將比芯片製造領域的競爭對手“領先一步”實現更加先進的18A製程節點，而18A先進製程將使得英特爾在成本方面重新與競爭對手持平。到2030年，英特爾預計其芯片代工廠有望成爲全球第二大規模的代工廠，其規模可能僅略輸於全球芯片代工之王臺積電。
阿斯麥最大客戶之一臺積電拒絕跟隨英特爾：舊款EUV也能製造最先進芯片
臺積電高級副總裁Kevin Zhang週二表示，臺積電所謂的A16芯片節點技術(業內普遍認爲是1.6nm芯片製程工藝)，預計將於2026年底推出，並且他表示不需要使用阿斯麥的high-NA EUV，可以繼續依賴臺積電一些舊款的EUV光刻設備。“我認爲在這一點上，我們現有的EUV能力應該能夠支持新的工藝，”Kevin Zhang表示。
關於臺積電對阿斯麥high-NA EUV的觀點，Zhang表示：“我喜歡high-NA EUV的性能，但是使用新的阿斯麥技術將取決於它在哪個層面最具經濟意義以及我們能夠實現的技術平衡。”不過他拒絕就臺積電可能何時開始向阿斯麥訂購新推出的high-NA EUV進行置評。
”經營一家大型芯片製造工廠的成本，包括建築、工具、電力和原材料等等，而這些一直在上漲。這是整個行業所面臨的共同挑戰。”Zhang表示。
臺積電憑藉在芯片製造領域數十年的造芯技術積澱，以及長期處於芯片製造技術改良與創新的全球最前沿(臺積電開創FinFET時代，引領2nm GAA時代)，以領先全球芯片製造商的先進製程以及超高良率長期以來霸佔全球絕大多數芯片代工訂單，尤其是5nm及以下先進製程的芯片代工訂單。
目前需求最爲旺盛的AI訓練/推理端高性能AI芯片，比如英偉達A100/H100/B200/GB200、AMD推出的MI300系列AI加速器，全線應用於全球各大數據中心的服務器端。而臺積電，可謂以一己之力卡着英偉達和AMD的脖子。英偉達與AMD均集中採用臺積電5nm製程，後續新推出的AI芯片有望採用基於臺積電chiplet先進封裝的3nm混合搭配4nm製程，2nm及以下製程已經納入臺積電的技術規劃路線。
臺積電當前還憑藉其領先業界的2.5D/3D 先進封裝喫下市場幾乎所有5nm及以下製程高端芯片封裝訂單，並且先進封裝產能遠無法滿足需求，英偉達H100長期供不應求正是受限於臺積電2.5D級別的 CoWoS封裝產能。